- Модель продукта RT1A060APTR
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 12V 6A 8TSST
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1556
Технические детали
- Тип монтажа 8-SMD, Flat Leads
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 6A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 19mOhm @ 6A, 4.5V
- Материал феррулы 600mW (Ta)
- Барьерный тип 1V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение 8-TSST
- Длина ремня 1.5V, 4.5V
- Шаг Количество -8V
- 12 V
- 80 nC @ 4.5 V
- 7800 pF @ 6 V