Инвентаризация:6710

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 39A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 3.9mOhm @ 18A, 10V
  • Материал феррулы 2W (Ta), 20W (Tc)
  • Барьерный тип 2.5V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение 8-HSMT (3.2x3)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 37 nC @ 4.5 V
  • 3500 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT

Инвентаризация: 21033

Top