- Модель продукта R6007ENJTL
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1502
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 7A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 620mOhm @ 2.4A, 10V
- Материал феррулы 40W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение LPTS
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 600 V
- 20 nC @ 10 V
- 390 pF @ 25 V