Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6.8A, 4.6A
  • Глубина 398pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 27mOhm @ 6.8A, 10V
  • Тип симистора 14nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.3V @ 10µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO

Инвентаризация: 17667

MOSFET N/P-CH 200V 8DFN

Инвентаризация: 5228

Top