Инвентаризация:9435

Технические детали

  • Тип монтажа DirectFET™ Isometric L8
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 375A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 3.5mOhm @ 74A, 10V
  • Материал феррулы 3.3W (Ta), 125W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение DirectFET™ Isometric L8
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 300 nC @ 10 V
  • 11560 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFET

Инвентаризация: 3990

MOSFET N-CH 60V 36A DIRECTFET

Инвентаризация: 6838

MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFT

Инвентаризация: 5733

Top