Инвентаризация:6406

Технические детали

  • Тип монтажа 3-XFDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 200mA (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 800mOhm @ 200mA, 4.5V
  • Материал феррулы 360mW (Ta)
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение X2-DFN0806-3
  • Длина ремня 1.5V, 4.5V
  • Шаг Количество ±8V
  • 12 V
  • 0.84 nC @ 4.5 V
  • 55.4 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN

Инвентаризация: 24659

MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN

Инвентаризация: 14053

MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F

Инвентаризация: 160273

Top