Инвентаризация:6472

Технические детали

  • Тип монтажа 6-UFBGA, DSBGA
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 P-Channel (Dual) Common Source
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 750mW
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 1.6A
  • Глубина 410pF @ 10V
  • Сопротивление при 25°C 68mOhm @ 1A, 4.5V
  • Тип симистора 2.5nC @ 4.5V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 1.1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 6-DSBGA (1x1.5)

Сопутствующие товары


MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6DSBGA

Инвентаризация: 15498

SOLAR CELL GEN3 4.15V 184.3MW

Инвентаризация: 5682

Top