- Модель продукта RS1E200GNTB
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3950
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Ta), 57A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 4.6mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 3W (Ta), 25W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение 8-HSOP
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 16.8 nC @ 10 V
- 1080 pF @ 15 V