Инвентаризация:3950

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Ta), 57A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 4.6mOhm @ 20A, 10V
  • Материал феррулы 3W (Ta), 25W (Tc)
  • Барьерный тип 2.5V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение 8-HSOP
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 16.8 nC @ 10 V
  • 1080 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 40V 50A PWRDI5060-8

Инвентаризация: 2400

MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN

Инвентаризация: 6354

MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Инвентаризация: 11171

MOSFET N-CH 60V 14.5A/47A 8HSOP

Инвентаризация: 603

MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8

Инвентаризация: 3494

MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8

Инвентаризация: 9782

MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

Инвентаризация: 3411

Top