- Модель продукта FDB86360-F085
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2944
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 110A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.8mOhm @ 80A, 10V
- Материал феррулы 333W (Tc)
- Барьерный тип 4.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-263 (D2PAK)
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 80 V
- 253 nC @ 10 V
- 14600 pF @ 25 V
- AEC-Q101