Инвентаризация:2000

Технические детали

  • Тип монтажа 56-VFQFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 6 N and 6 P-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внутренняя отделка контактов 200V
  • Глубина 50pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 8Ohm @ 1A, 10V
  • Барьерный тип 2.4V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение 56-QFN (8x8)

Сопутствующие товары


MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC

Инвентаризация: 3

MOSFET 4N-CH 20V 0.05A 14SOIC

Инвентаризация: 5289

MOSFET 4N-CH 10V 0.05A 14SOIC

Инвентаризация: 9873

MOSFET 6N-CH 60V 7A 15ZIP

Инвентаризация: 355

MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC

Инвентаризация: 5506

MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N/2P-CH 200V 12DFN

Инвентаризация: 4901

Top