Инвентаризация:2052

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 7.2A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 9.4mOhm @ 30A, 10V
  • Материал феррулы 780mW (Ta), 21.5W (Tc)
  • Барьерный тип 2.1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-WDFN (3.3x3.3)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 7.8 nC @ 4.5 V
  • 770 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN

Инвентаризация: 1615

MOSFET N-CH 80V 46A/348A 8DFNW

Инвентаризация: 2995

MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT

Инвентаризация: 0

Top