Инвентаризация:10865

Технические детали

  • Тип монтажа 3-XFDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 240mA (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 4Ohm @ 400mA, 4.5V
  • Материал феррулы 280mW (Ta)
  • Барьерный тип 1.2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение X2-DFN0806-3
  • Длина ремня 2.7V, 4.5V
  • Шаг Количество 8V
  • 25 V
  • 0.36 nC @ 4.5 V
  • 27.9 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3

Инвентаризация: 26171

MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23

Инвентаризация: 553866

IC GATE AND 1CH 2-INP 6SON

Инвентаризация: 6888

Top