- Модель продукта FCMT199N60
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Технические детали
- Тип монтажа 4-PowerTSFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 20.2A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 199mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 208W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение Power88
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 600 V
- 74 nC @ 10 V
- 2950 pF @ 100 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK
Инвентаризация: 16437
MOSFET N-CH 600V 76A TO247-3
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 650V 30A POWER88
Инвентаризация: 3000
MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN
Инвентаризация: 965
MOSFET N-CH 600V 12A POWER88
Инвентаризация: 4703
MOSFET N-CH 600V 16.4A 4VSON
Инвентаризация: 2424
