- Модель продукта 2SK879-Y(TE85L,F)
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание JFET N-CH 0.1W USM
- Классификация JFET-транзисторы
Инвентаризация:24634
Технические детали
- Тип монтажа SC-70, SOT-323
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 125°C (TJ)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Глубина 8.2pF @ 10V
- Максимальное переменное напряжение USM
- 100 mW
- 400 mV @ 100 nA
- 1.2 mA @ 10 V