- Модель продукта SI2342DS-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Технические детали
- Тип монтажа TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 6A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 17mOhm @ 7.2A, 4.5V
- Материал феррулы 2.5W (Tc)
- Барьерный тип 800mV @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-23-3 (TO-236)
- Длина ремня 1.2V, 4.5V
- Шаг Количество ±5V
- 8 V
- 15.8 nC @ 4.5 V
- 1070 pF @ 4 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
Инвентаризация: 42487
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Инвентаризация: 114762
MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.22A, 50V
Инвентаризация: 57976
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Инвентаризация: 6731
MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
Инвентаризация: 56729
N-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET
Инвентаризация: 2486
