Инвентаризация:1631

Технические детали

  • Тип монтажа TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 120A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 4.5mOhm @ 100A, 10V
  • Материал феррулы 263W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение TO-262 (I2PAK)
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 74 nC @ 10 V
  • 5270 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3

Инвентаризация: 371

IFPS MODULES 24MDIP

Инвентаризация: 226

TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3

Инвентаризация: 960

MOSFET

Инвентаризация: 0

MOSFET

Инвентаризация: 1977

MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Инвентаризация: 459

MOSFET N-CH 100V 180A TO262

Инвентаризация: 683

PTNG 100V, SINGLE NCH, PQFN8X8 S

Инвентаризация: 6000

Top