Инвентаризация:21744

Технические детали

  • Тип монтажа SOT-1205, 8-LFPAK56
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 68W
  • Внутренняя отделка контактов 100V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 29.5A
  • Глубина 2436pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 24.5mOhm @ 10A, 10V
  • Тип симистора 38.1nC @ 10V
  • Барьерный тип 4V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение LFPAK56D
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q100

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 30A LFPAK56D

Инвентаризация: 173834

MOSFET 2N-CH 80V 17A LFPAK56D

Инвентаризация: 4075

MOSFET 2N-CH 100V 29A LFPAK56D

Инвентаризация: 2930

MOSFET 2N-CH 100V 21.4A LFPAK56D

Инвентаризация: 2400

Top