- Модель продукта SIR876ADP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 40A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 10.8mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 5W (Ta), 62.5W (Tc)
- Барьерный тип 2.8V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 49 nC @ 10 V
- 1630 pF @ 50 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Инвентаризация: 38780
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Инвентаризация: 5846
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Инвентаризация: 0
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Инвентаризация: 7385
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Инвентаризация: 0
