- Модель продукта STB9NK80Z
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:2426
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 5.2A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
- Материал феррулы 125W (Tc)
- Барьерный тип 4.5V @ 100µA
- Максимальное переменное напряжение D2PAK
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 800 V
- 40 nC @ 10 V
- 1138 pF @ 25 V
- AEC-Q101