- Модель продукта RN1901FETE85LF
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
- Классификация Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа SOT-563, SOT-666
- Количество витков Surface Mount
- Резистивный материал 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Смываемый 100mW
- Длина - Резьбовая часть под головкой 100mA
- IGBT Тип 50V
- Толщина ленты 300mV @ 250µA, 5mA
- Входной логический уровень - Низкий 100nA (ICBO)
- Входной логический уровень - Высокий 30 @ 10mA, 5V
- Тип диода 250MHz
- Длина рукоятки 4.7kOhms
- Включенные пакеты 4.7kOhms
- Максимальное переменное напряжение ES6