Технические детали

• Тип монтажа 9-UFBGA, DSBGA
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 P-Channel (Dual) Common Source
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 700mW
• Толщина внешнего контактного покрытия 3.9A
• Глубина 595pF @ 10V
• Сопротивление при 25°C 162mOhm @ 1A, 1.8V
• Тип симистора 3.7nC @ 4.5V
• Тип подключения Logic Level Gate
• Барьерный тип 1.1V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 9-DSBGA