- Модель продукта 2003
- Бренд Microsemi Corporation
- RoHS No
- Описание RF TRANS NPN 50V 2GHZ 55BT-1
- Классификация Биполярные радиочастотные транзисторы
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 55BT-1
- Количество витков Chassis Mount
- Резистивный материал NPN
- Крутящий момент - Винт 200°C (TJ)
- Площадь (Д x Ш) 8.5dB
- Смываемый 12W
- Длина - Резьбовая часть под головкой 500mA
- IGBT Тип 50V
- Входной логический уровень - Высокий 10 @ 100mA, 5V
- Тип диода 2GHz
- Максимальное переменное напряжение 55BT-1