Технические детали

• Тип монтажа 12-SIP
• Количество витков Through Hole
• Скорость 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
• Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 4W
• Внутренняя отделка контактов 60V
• Толщина внешнего контактного покрытия 10A
• Глубина 460pF @ 10V, 1200pF @ 10V
• Сопротивление при 25°C 140mOhm @ 5A, 4V
• Барьерный тип 2V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 12-SIP