Технические детали

• Тип монтажа 12-SIP
• Количество витков Through Hole
• Скорость 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
• Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 4W
• Внутренняя отделка контактов 500V
• Толщина внешнего контактного покрытия 5A
• Глубина 770pF @ 10V
• Сопротивление при 25°C 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
• Барьерный тип 4V @ 1mA
• Максимальное переменное напряжение 12-SIP