Инвентаризация:17089

Технические детали

  • Тип монтажа 4-UFBGA, DSBGA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 1.6A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 47mOhm @ 1A, 4.5V
  • Материал феррулы 1W (Ta)
  • Барьерный тип 1.1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 4-DSBGA (1x1)
  • Длина ремня 2.5V, 4.5V
  • Шаг Количество -6V
  • 20 V
  • 2.9 nC @ 4.5 V
  • 478 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


IC GATE OR 1CH 2-INP DFN1010-6

Инвентаризация: 2777

MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR

Инвентаризация: 29014

Top