Инвентаризация:9343

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 3.8A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 70mOhm @ 5.3A, 10V
  • Материал феррулы 1.3W (Ta)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 5.2 nC @ 4.5 V
  • 563 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO

Инвентаризация: 6806

MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO

Инвентаризация: 250843

MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3

Инвентаризация: 1566

MOSFET N-CH 650V 10A DPAK

Инвентаризация: 1765

Top