- Модель продукта SI8806DB-T2-E1
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:2700
Технические детали
- Тип монтажа 4-XFBGA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 2.8A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 43mOhm @ 1A, 4.5V
- Материал феррулы 500mW (Ta)
- Барьерный тип 1V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 4-Microfoot
- Длина ремня 1.8V, 4.5V
- Шаг Количество ±8V
- 12 V
- 17 nC @ 8 V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 12V 2.5A WLB0808
Инвентаризация: 6645
MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Инвентаризация: 34890
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Инвентаризация: 39090
IC DECODER/DEMUX 1 X 2:3 8DSBGA
Инвентаризация: 3000
