- Модель продукта PMDPB38UNE,115
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 6-UDFN Exposed Pad
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 510mW
- Внутренняя отделка контактов 20V
- Толщина внешнего контактного покрытия 4A
- Глубина 268pF @ 10V
- Сопротивление при 25°C 46mOhm @ 3A, 4.5V
- Тип симистора 4.4nC @ 4.5V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 1V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 6-HUSON (2x2)