Инвентаризация:8362

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SMD, Flat Leads
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 7A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 17mOhm @ 7A, 10V
  • Материал феррулы 550mW (Ta)
  • Барьерный тип 2.5V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение TSMT8
  • Длина ремня 4V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 26 nC @ 5 V
  • 2700 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 28A/50A 8DFN

Инвентаризация: 87237

MOSFET N-CH 20V 100MA EMT3F

Инвентаризация: 22075

MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3F

Инвентаризация: 59233

Top