Инвентаризация:6361

Технические детали

  • Тип монтажа 4-UFBGA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 3.06A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 44mOhm @ 1.5A, 10V
  • Материал феррулы 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
  • Барьерный тип 1.2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 4-Microfoot
  • Длина ремня 2.5V, 10V
  • Шаг Количество ±12V
  • 20 V
  • 27 nC @ 10 V
  • 765 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 4.1A U-WLB1010-4

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB

Инвентаризация: 3012

MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT

Инвентаризация: 11428

Top