Инвентаризация:1548

Технические детали

  • Тип монтажа 16-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Количество витков Through Hole
  • Скорость 4 N-Channel, Matched Pair
  • Крутящий момент - Винт 0°C ~ 70°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 500mW
  • Внутренняя отделка контактов 10.6V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 80mA
  • Глубина 15pF @ 5V
  • Сопротивление при 25°C 25Ohm
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 10mV @ 10µA
  • Максимальное переменное напряжение 16-PDIP

Сопутствующие товары


MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP

Инвентаризация: 1

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC

Инвентаризация: 48

Top