Инвентаризация:11491

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 28A (Ta), 116A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 2mOhm @ 28A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta), 78W (Tc)
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (5x6)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 88 nC @ 10 V
  • 5315 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN

Инвентаризация: 18390

MOSFET N CH 40V 22A POWER 56

Инвентаризация: 2409

MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN

Инвентаризация: 4125

MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN

Инвентаризация: 22010

Top