Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 800mW
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 12A, 16A
  • Глубина 1130pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 9mOhm @ 12A, 10V
  • Тип симистора 18nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-Power33 (3x3)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 40V 79A POWERDI50

Инвентаризация: 605

MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP

Инвентаризация: 12965

MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6

Инвентаризация: 87474

Top