Инвентаризация:6024

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 3.2mOhm @ 25A, 10V
  • Материал феррулы 3.2W (Ta), 156W (Tc)
  • Барьерный тип 2.2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-VSONP (5x6)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 58 nC @ 10 V
  • 5070 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


DIODE ZENER 12V 300MW SOD523

Инвентаризация: 52631

MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON

Инвентаризация: 4182

MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON

Инвентаризация: 3138

MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON

Инвентаризация: 41359

Top