Инвентаризация:25260

Технические детали

  • Тип монтажа 8-TQFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 85A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 3.3mOhm @ 50A, 10V
  • Материал феррулы 78W (Tc)
  • Барьерный тип 3.9V @ 100µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (5x6)
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 40 V
  • 98 nC @ 10 V
  • 3174 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6

Инвентаризация: 0

TRANS NPN 50V 0.8A UB

Инвентаризация: 0

Top