- Модель продукта PMGD175XN,115
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 390mW
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 900mA
- Глубина 75pF @ 15V
- Сопротивление при 25°C 225mOhm @ 1A, 4.5V
- Тип симистора 1.1nC @ 4.5V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 1.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 6-TSSOP