- Модель продукта PMGD130UN,115
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 390mW
- Внутренняя отделка контактов 20V
- Толщина внешнего контактного покрытия 1.2A
- Глубина 83pF @ 10V
- Сопротивление при 25°C 145mOhm @ 1.2A, 4.5V
- Тип симистора 1.3nC @ 4.5V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 1V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 6-TSSOP