Инвентаризация:9697

Технические детали

  • Тип монтажа SOT-23-6
  • Количество витков Surface Mount
  • Резистивный материал 2 NPN (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Смываемый 900mW
  • Длина - Резьбовая часть под головкой 500mA
  • IGBT Тип 80V
  • Толщина ленты 250mV @ 10mA, 100mA
  • Входной логический уровень - Низкий 100nA
  • Входной логический уровень - Высокий 100 @ 10mA, 1V
  • Тип диода 163MHz
  • Максимальное переменное напряжение SOT-26

Сопутствующие товары


DUAL NPN GENERAL PURPOSE TRANSIS

Инвентаризация: 1804

MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC

Инвентаризация: 2933

MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC

Инвентаризация: 24948

MOSFET N/P-CH 60V 0.34A SOT363

Инвентаризация: 70668

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

Инвентаризация: 10078

Top