Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 12-SIP Exposed Tab
  • Количество витков Through Hole
  • Скорость 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
  • Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 5W
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 10A
  • Глубина 460pF @ 10V, 1200pF @ 10V
  • Сопротивление при 25°C 140mOhm @ 5A, 4V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Максимальное переменное напряжение 12-SIP

Сопутствующие товары


DIODE ZENER 4.3V 1.3W DO41

Инвентаризация: 24498

MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5

Инвентаризация: 939

MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3

Инвентаризация: 11240

MOSFET 4N-CH 60V 7A 15ZIP

Инвентаризация: 722

MOSFET 4N-CH 60V 7A 15SIP

Инвентаризация: 85

MOSFET 6N-CH 60V 7A 15ZIP

Инвентаризация: 355

Top