Инвентаризация:34867

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 5.8mOhm @ 20A, 10V
  • Материал феррулы 3.1W (Ta)
  • Барьерный тип 2.2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 22.5 nC @ 10 V
  • 951 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 40V 10A 8SOIC

Инвентаризация: 193571

MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC

Инвентаризация: 2859

MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC

Инвентаризация: 644

MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON

Инвентаризация: 6943

MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK

Инвентаризация: 36306

Top