Инвентаризация:713711

Технические детали

  • Тип монтажа 3-XFDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Резистивный материал NPN
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Толщина ленты 1V @ 50mA, 500mA
  • Входной логический уровень - Низкий 10nA (ICBO)
  • Входной логический уровень - Высокий 100 @ 150mA, 10V
  • Тип диода 300MHz
  • Максимальное переменное напряжение X2-DFN1006-3
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Суспензия 600 mA
  • 40 V
  • 460 mW
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN

Инвентаризация: 49610

BJT SOT23 40V NPN 0.35W 150C

Инвентаризация: 0

TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3

Инвентаризация: 0

TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3

Инвентаризация: 15

TRANS NPN 40V 200MA SOT23-3

Инвентаризация: 0

TRANS NPN 40V SOT23

Инвентаризация: 21

SMALL SIGNAL TRANSISTOR

Инвентаризация: 55

200MA SILICON NPN EPITAXIAL PLAN

Инвентаризация: 22

TRANSISTOR, SMALL SIGNAL, NPN, 4

Инвентаризация: 29

SOT-23, 60V, 0.2A, NPN BIPOLAR T

Инвентаризация: 0

Top