- Модель продукта SIRA06DP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:4478
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 40A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2.5mOhm @ 15A, 10V
- Материал феррулы 5W (Ta), 62.5W (Tc)
- Барьерный тип 2.2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество +20V, -16V
- 30 V
- 77 nC @ 10 V
- 3595 pF @ 15 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 20V 238MA SC75
Инвентаризация: 47849
MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8
Инвентаризация: 314
MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
Инвентаризация: 3000
