- Модель продукта SIRA00DP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 6.25W (Ta), 104W (Tc)
- Барьерный тип 2.2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество +20V, -16V
- 30 V
- 220 nC @ 10 V
- 11700 pF @ 15 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
Инвентаризация: 20945
IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8UMLP
Инвентаризация: 20750
TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Инвентаризация: 1910828
MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
Инвентаризация: 0
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Инвентаризация: 3411
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Инвентаризация: 10078
