Технические детали

• Тип монтажа Module
• Количество витков Chassis Mount
• Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 462W
• Внутренняя отделка контактов 600V
• Толщина внешнего контактного покрытия 95A
• Глубина 14400pF @ 25V
• Сопротивление при 25°C 24mOhm @ 47.5A, 10V
• Тип симистора 300nC @ 10V
• Барьерный тип 3.9V @ 5mA