Инвентаризация:14240

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerSMD, Flat Leads
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 21A (Ta), 85A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 3.1mOhm @ 20A, 10V
  • Материал феррулы 2.3W (Ta), 83W (Tc)
  • Барьерный тип 2.2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN (5x6)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 196 nC @ 10 V
  • 9120 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 32A/85A 8DFN

Инвентаризация: 41758

DIODE ZENER 5.6V 800MW DO219AB

Инвентаризация: 51667

MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN

Инвентаризация: 6354

Top