Инвентаризация:11330

Технические детали

  • Тип монтажа TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 500mA (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 4.8Ohm @ 1A, 10V
  • Материал феррулы 3W (Tc)
  • Барьерный тип 4.5V @ 50µA
  • Максимальное переменное напряжение TO-92-3
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±30V
  • 600 V
  • 15 nC @ 10 V
  • 280 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


IC GATE XNOR 4CH 2-INP 14DIP

Инвентаризация: 322

MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3

Инвентаризация: 7442

MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3

Инвентаризация: 7349

MOSFET N-CH 600V 600MA TO92-3

Инвентаризация: 6763

MOSFET N-CH 600V 160MA TO92-3

Инвентаризация: 1089

Top