- Модель продукта MRFE6VP5600HSR6
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS Yes
- Описание RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа NI-1230-4S
- Количество витков Chassis Mount
- Индуктивность 230MHz
- Скорость Dual
- Общее сопротивление 600W
- Площадь (Д x Ш) 25dB
- Функция - Освещение LDMOS
- Максимальное переменное напряжение NI-1230-4S
- Длина ножки 130 V
- 50 V
- 100 mA
Сопутствующие товары
RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Инвентаризация: 137
RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Инвентаризация: 0
RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Инвентаризация: 1479
