- Модель продукта NVD5117PLT4G-VF01
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3759
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 11A (Ta), 61A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 16mOhm @ 29A, 10V
- Материал феррулы 4.1W (Ta), 118W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение DPAK
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 85 nC @ 10 V
- 4800 pF @ 25 V
- AEC-Q101