- Модель продукта IPB120N04S402ATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 120A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.8mOhm @ 100A, 10V
- Материал феррулы 158W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 110µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO263-3
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 40 V
- 134 nC @ 10 V
- 10740 pF @ 25 V
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Инвентаризация: 4157
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Инвентаризация: 6897
MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Инвентаризация: 9665
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Инвентаризация: 9931
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN
Инвентаризация: 8
