Инвентаризация:23665

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 5A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 425mOhm @ 2.5A, 10V
  • Материал феррулы 33.8W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 13µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TSDSON-8-2
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 250 V
  • 5.5 nC @ 10 V
  • 430 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON

Инвентаризация: 13339

MOSFET N-CH 250V 8A DPAK

Инвентаризация: 7050

Top